GaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETにおけるソースおよびドレイン不純物濃度依存性

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2016/04/01

タイトル(英語): Source and Drain Concentration Dependence on Double Gate GaAsSb/InGaAs Tunnel FET

著者名: 岩田　真次郎（東京工業大学），大橋　一水（東京工業大学），林　文博（東京工業大学），福田　浩一（産業技術総合研究所），宮本　恭幸（東京工業大学）

著者名(英語): Shinjiro Iwata (Tokyo Institute of Technology), Kazumi Ohashi (Tokyo Institute of Technology), Wenbo Lin (Tokyo Institute of Technology), Koichi Fukuda (Advanced Industrial Science and Technology), Yasuyuki Miyamoto (Tokyo Institute of Technology)

キーワード: トンネルFET，サブスレッショルドスロープ，オン電流，キャリア枯渇，InGaAs，GaAsSb　　Tunnel FET，Subthreshold slope，on-current，carrier starvation，InGaAs，GaAsSb

要約(英語): We report the dependence of I-V characteristics on doping concentration in a GaAsSb/InGaAs Double-Gate Tunnel FET (GaAsSb/InGaAs DG TFET) by simulation. Increase of doping concentration at source region is effective to achieve high on-current. However, it leads degradation of off-current. To suppress off-current, low doping concentration at drain region is effective, although on-current is decreased by high series resistance in the drain when drain concentration is too low. As a result of optimization, we obtain ION of 466 μA/μm and IOFF of 10 pA/μm at VDD 0.5 V in a GaAsSb/InGaAs DG TFET.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.136 No.4 （2016） 特集：最新の化合物半導体デバイスとその応用技術

本誌掲載ページ: 467-473 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/136/4/136_467/_article/-char/ja/