酸化ガリウムショットキーバリアダイオード

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2016/04/01

タイトル(英語): Gallium Oxide Schottky Barrier Diodes

著者名: 東脇　正高（（国）情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター），佐々木　公平（（国）情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター／（株）タムラ製作所），村上　尚（東京農工大学 工学部 応用分子化学科），熊谷　義直（東京農工大学 工学部 応用分子化学科），倉又　朗人（（株）タムラ製作所）

著者名(英語): Masataka Higashiwaki (Green ICT Device Advanced Development Center, Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology), Kohei Sasaki (Green ICT Device Advanced Development Center, Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology/Tamura Corporation), Hisashi Murakami (Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology), Yoshinao Kumagai (Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology), Akito Kuramata (Tamura Corporation)

キーワード: 酸化ガリウム，ショットキーバリアダイオード，ハライド気相成長法　　gallium oxide，Schottky barrier diode，halide vapor phase epitaxy

要約(英語): The new wide-bandgap oxide semiconductor, gallium oxide (Ga2O3), has gained attraction as a promising candidate for power device applications because of its excellent material properties and suitability for mass production. Fundamental halide vapor phase epitaxy (HVPE) technology for Ga2O3 thin film growth has been developed for development of vertical Ga2O3 devices. Unintentionally-doped Ga2O3 layers grown by HVPE were high purity and high crystalline quality, and an electron density in the Ga2O3 film can be precisely controlled by Si doping in the wide range of n=1015-1018 cm-3. We fabricated vertical Ga2O3 Schottky barrier diodes (SBDs) with HVPE-grown n--Ga2O3 drift layers on single-crystal β-Ga2O3 (001) substrates. The SBDs demonstrated promising device performance as next-generation power devices, such as the specific on-resistances of about 3.0 mΩ・cm2, the ideality factors of almost equal to unity, and the off-state breakdown voltage of about -500 V.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.136 No.4 （2016） 特集：最新の化合物半導体デバイスとその応用技術

本誌掲載ページ: 479-483 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/136/4/136_479/_article/-char/ja/