ニアスレッショルド電圧動作可能なFinFETによる4T-SRAM

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2019/01/01

タイトル(英語): FinFET 4T-SRAM Operable at Near-Threshold Region

著者名: 分元　涼太（岐阜大学大学院工学研究科），高橋　康宏（岐阜大学工学部電気電子・情報工学科），関根　敏和（岐阜大学工学部電気電子・情報工学科）

著者名(英語): Ryota Wakemoto (Graduate School of Engineering, Gifu University), Yasuhiro Takahashi (Department of Electrical, Electronic, and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Gifu University), Toshikazu Sekine (Department of Electrical, Electronic, and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Gifu University)

キーワード: SRAM，FinFET，ニアスレッショルド回路，低消費電力，静的ノイズマージン　　SRAM，FinFET，Near-threshold circuits，Low power dissipation，Static noise margin

要約(英語): This paper presents a new FinFET 4T-SRAM that is operated with differential write and single-end read mode, in the near-threshold region. To improve the read margin and the write stability, a 3T read/write assist circuit is added to the proposed SRAM. From the HSPICE simulation results in 20 nm predictive technology model (PTM), the proposed circuit has the same static noise margin (SNM), a shorter read/write time and smaller energy dissipation compared to conventional circuits.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.139 No.1 （2019） 特集：電子回路関連技術

本誌掲載ページ: 43-49 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/139/1/139_43/_article/-char/ja/