フルバンドモンテカルロ法を用いたSi中の電子の飽和速度とエネルギー緩和時間

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2019/11/01

タイトル(英語): Analysis of Saturation Velocity and Energy Relaxation Time of Electrons in Si Using Full-band Monte Carlo Simulation

著者名: 吉原　滉樹（京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科），廣木　彰（京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科）

著者名(英語): Koki Yoshihara (Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology), Akira Hiroki (Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology)

キーワード: フルバンドモンテカルロ法，第一原理計算，飽和速度，エネルギー緩和時間，Si　　full-band Monte Carlo simulation，first principle calculation，saturation velocity，energy relaxation time，Si

要約(英語): In this paper, we have investigated the influence of optical phonon energy on electron saturation velocity and energy relaxation time by using a full band Monte Carlo simulator. The energy band structure is obtained using the first principle calculation. The scattering probability is calculated so as to conserve the energy and momentum in the full band structure. It is found that the range of optical phonon energy from 56.2 to 63.9 meV allows experimental saturation velocity and energy relaxation time. Electron saturation velocity is more sensitive than relaxation time to the optical phonon energy.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.139 No.11 （2019）特集Ⅰ：国際会議ICESS 2018　特集Ⅱ：電気関係学会関西連合大会

本誌掲載ページ: 1254-1259 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/139/11/139_1254/_article/-char/ja/