組成傾斜InGaAsSbベースを有するDHBTにおけるアンチモンの拡散について

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): A Study of Antimony Diffusion of DHBTs with Compositionally Graded InGaAsSb Base

著者名: 星　拓也（日本電信電話（株） NTT先端集積デバイス研究所），白鳥　悠太（日本電信電話（株） NTT先端集積デバイス研究所），杉山　弘樹（日本電信電話（株） NTT先端集積デバイス研究所），松崎　秀昭（日本電信電話（株） NTT先端集積デバイス研究所）

著者名(英語): Takuya Hoshi (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation), Yuta Shiratori (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation), Hiroki Sugiyama (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation), Hideaki Matsuzaki (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation)

キーワード: ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ，有機金属化学気相堆積　　double heterojunction bipolar transistor，metal-organic chemical vapor deposition

要約(英語): The impact of the growth order on the Sb diffusion from compositionally-graded-InGaAsSb/highly-doled-GaAsSb base of double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) is discussed in this paper. For the conventional emitter-up DHBT wafer, the shift of x-ray diffraction peak of InGaP emitter due to the incorporation of a few percent of Sb is found. On the other hand, there are no pronounced peak shift when the growth order is inverted for the transfer-substrate (TS) DHBTs. Transmission electron microscopy reveals that the abruptness of the emitter-base interface of conventional wafer and base-collector interface of the wafer for the TS-DHBT are degraded. This interface degradation is due to the Sb diffusion into the upper layer of GaAsSb/InGaAsSb base.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.142 No.3 （2022） 特集Ⅰ：スマートシステムと計測・制御技術 －Withコロナ社会に向けて－　 特集Ⅱ：高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用　特集Ⅲ：国際会議ICESS 2020

本誌掲載ページ: 342-347 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/142/3/142_342/_article/-char/ja/