微分位相コントラストSTEMを用いたGaN/AlGaN/InGaNマルチヘテロ接合の局所電場観察

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): The Observation of Local Electric Fields in GaN/AlGaN/InGaN Multi-heterostructures by Differential Phase Contrast STEM

著者名: 遠山　慧子（東京大学工学系研究科総合研究機構），関　岳人（東京大学工学系研究科総合研究機構），蟹谷　裕也（ソニーグループ（株）），冨谷　茂隆（ソニーグループ（株）），幾原　雄一（東京大学工学系研究科総合研究機構／ファインセラミックスセンター），柴田　直哉（東京大学工学系研究科総合研究機構／ファインセラミックスセンター）

著者名(英語): Satoko Toyama (University of Tokyo), Takehito Seki (University of Tokyo), Yuya Kanitani (Sony Group Corporation), Shigetaka Tomiya (Sony Group Corporation), Yuichi Ikuhara (University of Tokyo/Japan Fine Ceramics Center), Naoya Shibata (University of Tokyo/Japan Fine Ceramics Center)

キーワード: 走査透過電子顕微鏡，窒化ガリウム　　scanning transmission electron microscopy，GaN

要約(英語): The local electric field distributions inside specimens can be directly observed by differential-phase-contrast scanning transmission electron microscopy (DPC STEM). In this study, we applied DPC STEM to GaN/AlGaN/InGaN multi-heterostructures. We successfully visualized the differences in electrostatic potentials of GaN/AlGaN/InGaN.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.142 No.3 （2022） 特集Ⅰ：スマートシステムと計測・制御技術 －Withコロナ社会に向けて－　 特集Ⅱ：高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用　特集Ⅲ：国際会議ICESS 2020

本誌掲載ページ: 367-372 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/142/3/142_367/_article/-char/ja/