ナノシートMOSFETに関する電気特性のシート膜厚及びゲート電圧依存性の解析
ナノシートMOSFETに関する電気特性のシート膜厚及びゲート電圧依存性の解析
カテゴリ: 論文誌(論文単位)
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門
発行日: 2024/11/01
タイトル(英語): Analysis of Sheet Thickness and Gate Voltage Dependence of Electrical Characteristics for Nanosheet MOSFETs
著者名: 細田 光星(京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科),廣木 彰(京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科)
著者名(英語): Kosei Hosoda (Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology), Akira Hiroki (Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology)
キーワード: ナノシートMOSFET,量子ドリフト拡散モデル,デバイスシミュレーション,設計指針 nanosheet MOSFETs,quantum drift diffusion model,device simulation,design guideline
要約(英語): In this paper, we have analyzed sheet thickness and gate voltage dependence of electrical characteristics for nanosheet MOSFETs using a device simulation that takes quantum confinement effects into account. Since the sheet thickness of nanosheet MOSFETs decreases to several nanometers, the simulated on-current shows significant reduction compared to the on-current required in the device design due to the quantum confinement effect. We analyze the relative difference between the on-current required in the device design and the simulated on-current and propose a design guideline using the relative difference. In order to suppress the relative difference of the on-currents within 3%, the minimum sizes of the sheet thickness are 3.4, 4.5, and 5.5 nm at supply voltages of 0.70, 0.60, and 0.50 V, respectively.
本誌: 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.144 No.11 (2024) 特集Ⅰ:電気関係学会関西連合大会 特集Ⅱ:電子材料関連技術の最近の進展
本誌掲載ページ: 1032-1037 p
原稿種別: 論文/日本語
電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/144/11/144_1032/_article/-char/ja/
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