シリコンへの硫黄の過飽和ドーピングがもたらす光学的・電気的特性の変化

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2024/11/01

タイトル(英語): Modification of Optical and Electrical Properties by Supersaturated Doping of Sulfur into Silicon

著者名: 川本　兼司（甲南大学 大学院 自然科学研究科），香野　淳（福岡大学 理学部），青木　珠緖（甲南大学 理工学部），梅津　郁朗（甲南大学 理工学部）

著者名(英語): Kenji Kawamoto (Graduate School of Natural Science, Konan University), Atsushi Kohno (Department of Applied Physics, Fukuoka University), Tamao Aoki (Department of Physics, Konan University), Ikurou Umezu (Department of Physics, Konan University)

キーワード: 過飽和ドーピング，中間バンド，パルスレーザーメルティング，深い不純物　　hyperdpoing，intermediate band，pulsed laser melting，deep impurity

要約(英語): Hyperdoping of semiconductors with deep impurities is a promising method to form intermediate bands. Hyperdoped semiconductors can be prepared by ion implantation followed by pulsed laser melting. However, since hyperdoping is a nonequilibrium process, the correlation between the hyperdoping process and the physical properties of the hyperdoped semiconductor is not clear. In this study, we investigated the correlation between the hyper doping process and optical absorption and pn junction properties by hyperdoping of Si with S.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.144 No.11 （2024） 特集Ⅰ：電気関係学会関西連合大会　特集Ⅱ：電子材料関連技術の最近の進展

本誌掲載ページ: 1066-1070 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/144/11/144_1066/_article/-char/ja/