大気圧プラズマ化学輸送法を用いて作製したシリコン膜の特性評価

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2012/03/01

タイトル(英語): Characteristics of Silicon Films Deposited by Atmospheric Pressure Plasma Enhanced Chemical Transport

著者名: 内藤 皓貴（技術研究組合 BEANS研究所 Macro BEANSセンター），横山 吉典（技術研究組合 BEANS研究所 Macro BEANSセンター），紺野 伸顕（技術研究組合 BEANS研究所 Macro BEANSセンター），徳永 隆志（技術研究組合 BEANS研究所 Macro BEANSセンター），伊藤 寿浩（技術研究組合 BEANS研究所 Macro BEANSセンター／（独）産業技術総合研究所 つくば東事業所）

著者名(英語): Teruki Naito (Macro BEANS Center, BEANS Laboratory), Yoshinori Yokoyama (Macro BEANS Center, BEANS Laboratory), Nobuaki Konno (Macro BEANS Center, BEANS Laboratory), Takashi Tokunaga (Macro BEANS Center, BEANS Laboratory), Toshihiro Itoh (Macro BEANS Center, BEANS Laboratory/AIST Tsukuba East)

キーワード: シリコン成膜，大気圧，プラズマ化学輸送法　　Silicon deposition，Atmospheric pressure，Plasma enhanced chemical transport

要約(英語): The characteristics of silicon films deposited at 700 Torr by plasma enhanced chemical transport were investigated. The Si films were poly-crystalline, and the hall mobility was 1.9 cm2/Vs. These results indicate that our Si films are comparable with poly-crystalline Si deposited by conventional plasma enhanced CVD. We fabricated a strain gauge sensor using our silicon film. The output voltage showed a good linearity to the pressure.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.132 No.3 （2012）

本誌掲載ページ: 48-52 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/132/3/132_3_48/_article/-char/ja/