RF-MEMSスイッチのための低電圧駆動薄膜PZT積層アクチュエータ

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2012/09/01

タイトル(英語): Low-Voltage-Driven Thin Film PZT Stacked Actuator for RF-MEMS Switches

著者名: 森山　雅昭（東北大学マイクロシステム融合研究開発センター），川合　祐輔（東北大学　大学院工学研究科），田中　秀治（東北大学　大学院工学研究科），江刺　正喜（東北大学　原子分子材料科学高等研究機構）

著者名(英語): Masaaki Moriyama (Micro System Integration Center, Tohoku University), Yusuke Kawai (Graduate School of Engineering, Tohoku University), Shuji Tanaka (Graduate School of Engineering, Tohoku University), Masayoshi Esashi (WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University)

キーワード: 圧電アクチュエータ，低電圧駆動，多段化，PZT，RF-MEMSスイッチ　　Piezoelectric actuator，Low voltage operation，Stacking，PZT，RF-MEMS switch

要約(英語): A thin film piezoelectric actuator stacking five PZT (Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3) layers has been developed to achieve large displacement and large force at low driving voltage. In this paper, the fabrication process and the operation characteristics of the developed PZT actuator are reported. Each PZT layer of 200nm thickness was deposited by sol-gel method and sandwiched with thin Pt electrodes, which were electrically connected to plus and minus terminals alternately. The displacement-force characteristic of the fabricated actuator shows the maximum displacement of 43μm without load and the estimated maximum contact force of 16μN at a driving voltage of 5V. The developed PZT actuator is applicable to RF-MEMS switches, which need both high contact force and large isolation gap within a limited footprint.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.132 No.9 （2012）

本誌掲載ページ: 282-287 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/132/9/132_282/_article/-char/ja/