加工条件の異なる(110)<110>単結晶シリコン薄膜の引張試験

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2012/09/01

タイトル(英語): Tensile Test on (110) <110> Thin Film Single Crystal Silicon with Different Processing Conditions

著者名: 上杉　晃生（京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻），平井　義和（京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻），菅野　公二（京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻），土屋　智由（京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻），田畑　修（京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻）

著者名(英語): Akio Uesugi (Department of Microengineering, Kyoto University), Yoshikazu Hirai (Department of Microengineering, Kyoto University), Koji Sugano (Department of Microengineering, Kyoto University), Toshiyuki Tsuchiya (Department of Microengineering, Kyoto University), Osamu Tabata (Department of Microengineering, Kyoto University)

キーワード: 単結晶シリコン，引張試験，表面形態，薄膜　　Single crystal silicon，Tensile test，Surface morphology，Thin film

要約(英語): We conducted uni-axial tensile test using electrostatic-force grip on thin film single crystal silicon of <110> direction. The specimens were fabricated on (110) SOI wafer (length: 120μm, width: μm, thickness: 5μm) and went through 3 different conditions of patterning process composed of Bosch process and wet etching process for surface residue removal. As a result, improvement of surface morphology brought increase of average tensile strength from 1.9GPa to 3.6GPa. SEM observation of fractured specimens suggests that, regardless of processing conditions, relationship between tensile strength and the top-view length of (110) crystal plane of specimens can be expressed with a common equation.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.132 No.9 （2012）

本誌掲載ページ: 320-321 p

原稿種別: 研究開発レター／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/132/9/132_320/_article/-char/ja/