内部応力を利用したPZT薄膜キャパシタの剥離技術

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2014/04/01

タイトル(英語): Spalling Technology of PZT Thin Film Capacitor using Internal Stress

著者名: 末重　良宝（東京大学），本多　史明（東京大学），須賀　唯知（東京大学），一木　正聡（（独）産業技術総合研究所），伊藤　寿浩（（独）産業技術総合研究所）

著者名(英語): Kazutaka Sueshige (The University of Tokyo), Fumiaki Honda (The University of Tokyo), Tadatomo Suga (The University of Tokyo), Masaaki Ichiki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Toshihiro Itoh (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: PZT，薄膜，キャパシタ，剥離，めっき　　PZT，thin film，capacitor，spalling，plate

要約(英語): We developed spalling technology of PZT thin film capacitors using the internal stress of the Ni film. We analyzed the normal stress of the PZT thin film capacitor using FEM and found that it ranges from 0.79 to 1.24 MPa by controlling the kind of the Ni film. The PZT thin film capacitor was successfully peeled from Si substrate when Ni-P alloy film was plated on it. It was also found that the peeled capacitor was not damaged during the peeling process by XRD analysis and electrical properties.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.134 No.4 （2014）

本誌掲載ページ: 85-89 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/134/4/134_85/_article/-char/ja/