シリコンウエハ全面にわたる結晶異方性ウェットエッチング加工での表面加工形状の均一性の向上
シリコンウエハ全面にわたる結晶異方性ウェットエッチング加工での表面加工形状の均一性の向上
カテゴリ: 論文誌(論文単位)
グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門
発行日: 2014/08/01
タイトル(英語): Improvement of Shape Homogeneity in the Surface Microstructures Fabricated by Anisotropic Etching on 4-inch Silicon Wafer
著者名: 村上 直(九州工業大学 大学院情報工学研究院),大森 龍之介(九州工業大学 大学院情報工学研究院),清水 正義(九州工業大学 大学院情報工学研究院),伊藤 高廣(九州工業大学 大学院情報工学研究院)
著者名(英語): Sunao Murakami (Faculty of Computer Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology), Ryunosuke Ohmori (Faculty of Computer Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology), Seigi Shimizu (Faculty of Computer Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology), Takahiro Ito (Faculty of Computer Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology)
キーワード: 結晶異方性エッチング,ウェットエッチング,微細構造アレイ,形状の均一性,単結晶シリコン anisotropic etching,wet etching,microstructure array,shape homogeneity,single crystal silicon
要約(英語): Anisotropic wet etching is a useful processing method for the fabrication of three-dimensional microstructures on single crystal silicon (SCS) substrates. We can control the shapes of the etched microstructures and their surface condition by the combination of the etch mask patterns and the etching process conditions. In this paper, we attempted to fabricate the array of convex micro-pyramids or frustums of the pyramid on 4-inch SCS wafers using anisotropic wet etching of the silicon in the solutions containing tetra methyl ammonium hydroxide and isopropyl alcohol. We have successfully increased the shape homogeneity of the microstructures fabricated on whole surface of one side of the wafers by improving the experimental set-up for the etching process and the stability of the liquid temperature of the etching solution.
本誌: 電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌) Vol.134 No.8 (2014)
本誌掲載ページ: 258-263 p
原稿種別: 論文/日本語
電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/134/8/134_258/_article/-char/ja/
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