SiO2/Si3N4積層ダイアフラムを用いた金属ひずみゲージ圧力センサ

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2019/04/01

タイトル(英語): Metal Strain Gauge Pressure Sensor Using SiO2/Si3N4 Diaphragm

著者名: 中野　洋（（株）日立製作所 研究開発グループ），松本　昌大（（株）日立製作所 研究開発グループ），小野瀬　保夫（日立オートモティブシステムズ（株）），太田　和宏（日立オートモティブシステムズ（株））

著者名(英語): Hiroshi Nakano (Research & Development Group, Hitachi, Ltd.), Masahiro Matsumoto (Research & Development Group, Hitachi, Ltd.), Yasuo Onose (Hitachi Automotive Systems, Ltd.), Kazuhiro Ohta (Hitachi Automotive Systems, Ltd.)

キーワード: 圧力センサ，集積化，薄膜ダイアフラム，金属ゲージ　　pressure sensor，integration，thin film，metal gauge

要約(英語): This paper describes MEMS pressure sensor that can be fabricated simultaneously with MEMS micro-heater. The pressure sensor has a thin-film diaphragm consisting of SiO2/Si3N4 films and a metal strain gauge on the diaphragm. The pressure sensor rectifies nonlinear pressure characteristic due to large deflection of diaphragm by combining bending strain and elongation strain. Absolute pressure sensor using the diaphragm shows good temperature characteristics of ±4% or less for temperature range -40℃～+80℃, absolute pressure range 50kPa～300kPa without any temperature compensations.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.139 No.4 （2019）

本誌掲載ページ: 63-68 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/139/4/139_63/_article/-char/ja/