非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた静電気センサの開発

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2019/04/01

タイトル(英語): Electrostatic Potential Sensors Based on Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-film Transistors

著者名: 岩松　新之輔（山形県工業技術センター），阿部　泰（山形県工業技術センター），加藤　睦人（山形県工業技術センター），竹知　和重（Tianma Japan（株）），田邉　浩（Tianma Japan（株））

著者名(英語): Shinnosuke Iwamatsu (Yamagata Research Institute of Technology), Yutaka Abe (Yamagata Research Institute of Technology), Mutsuto Katoh (Yamagata Research Institute of Technology), Kazushige Takechi (Tianma Japan, Ltd.), Hiroshi Tanabe (Tianma Japan, Ltd.)

キーワード: 静電気センサ，薄膜トランジスタ，a-InGaZnO，延長ゲート構造，二次元アレイ　　electrostatic potential sensor，thin-film transistor，a-InGaZnO，extended-gate structure，two-dimensional array

要約(英語): We have been working on new applications of amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistors (a-InGaZnO TFTs). In this paper, we demonstrated sensing of electrostatic potential by an a-InGaZnO TFT with and without a top-gate electrode, whose sensitivity to the electrostatic potential were 4 and 50 nA/kV, respectively. We found that an extended-gate type sensor, which has an extended-gate electrode connected to a top-gate electrode, indicates response to the electrostatic potential, depending on the size of the electrode and the distance between the electrode and probe.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.139 No.4 （2019）

本誌掲載ページ: 69-74 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/139/4/139_69/_article/-char/ja/