狭ピッチ両端支持梁のシリコンプローブ製造プロセスの検討

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門

発行日: 2021/04/01

タイトル(英語): Study on Fabrication Method for Narrow Pitch Beams on Silicon Probe

著者名: 金丸　昌敏（（株）日立製作所 研究開発グループ 機械イノベーションセンタ），青野　宇紀（（株）日立製作所 研究開発グループ 機械イノベーションセンタ），河野　竜治（（株）日立製作所 研究開発グループ 機械イノベーションセンタ），細金　敦（（株）日立製作所 研究開発グループ 機械イノベーションセンタ）

著者名(英語): Masatoshi Kanamaru (Center for Technology Innovation - Mechanical Engineering, Research & Development Group, Hitachi, Ltd.), Takanori Aono (Center for Technology Innovation - Mechanical Engineering, Research & Development Group, Hitachi, Ltd.), Ryuji Kohn

キーワード: シリコン，プローブ，異方性エッチング，狭ピッチ両端支持梁　　silicon，probe-tip，anisotropic etching，narrow-pitch beam

要約(英語): A fabrication method of silicon probe has been developed for wafer-level-testing of semiconductor with narrow-pitch electrodes. The silicon probe consists of probe-tips, beams and three-dimensional wirings. The probe-tips and beams are fabricated by anisotropic etching with KOH aqueous solution. The beams were conventionally fabricated with etching a back side of substrate after etching a top side. However, after the back side etching step, the defects were observed on the back side of beams. We clarified that the defects were caused by etching that proceeds from defects in the silicon oxide layer on V-grooves with a scanning electron microscopy (SEM). Thus, we propose an improving fabrication method, which the beams are formed by etching from the both sides of silicon substrate. With this method, narrow-pitch beams on a silicon probe can be fabricated without defects.

本誌: 電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） Vol.141 No.4 （2021）

本誌掲載ページ: 96-102 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/141/4/141_96/_article/-char/ja/