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2025年10月31日電子デバイス研究会
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MOS制御ダイオードのキャリア排出機構
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両面ゲートIGBTにおける損失低減とサージ電圧抑制の両立
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Back-Gate-Controlled IGBTにおけるn型バッファ層の裏面ゲート動作への影響のTCAD解析
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両面マルチゲートIGBTにおける制御遅延の短縮に向けた裏面ゲートによるキャリアー低減の制御
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SiC-MOSFET並みの特性を実現する SuperJunction IGBTの提案
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垂直電荷不均衡の分析に基づくスーパージャンクションIGBTにおけるスイッチング損失低減メカニズムの解明
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シャローアクティブトレンチCSTBTTMを用いた6.5kV素子のスイッチング損失低減
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再生可能エネルギー向け 第8世代 RFC diode
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寄生容量を考慮した結合コイルのモデリングと負荷非依存E-D級ワイヤレス給電システムへの適用
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任意のデューティ比に対応する多重共振構成E級インバータの解析
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3+1レベルインバータのフライングキャパシタ容量低減
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SiC MOSFETの個別モデリングに基づくアクティブゲートドライブに関する検討
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スイッチング波形を用いたパワーMOSFETの静的電流特性モデルパラメータ推定
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IGBT用Siウェーハの少数キャリアライフタイムおよび欠陥準位評価
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ダイヤモンドパワー半導体の特性予測
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電界強度5 MV/cm、耐圧1844 Vを有するβ-Ga2O3トレンチMOSショットキーバリアダイオード
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単一集積化したパワーGaN HEMTの誤点弧評価
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微傾斜ＳｉＣ基板上におけるＧａＮ／ＳｉＣハイブリッド型分極スーパージャンクションＨＥＭＴｓ
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短絡自動保護機能付きSiC MOSFETの動作実証
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4H-SiC基板におけるキャリア寿命とデバイス信頼性との関係
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パワーサイクル劣化検出に向けたLHL法の過渡熱応答解析
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小面積チップの分散配置とベイズ最適化設計による樹脂絶縁型SiCパワーモジュールの熱抵抗低減
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金属放熱基板を用いたマルチチップパワーモジュールの熱設計手法に関する一検討 -熱干渉を考慮したチップ配置最適化-
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ゲートドライバ内蔵型GaN HEMTの過渡熱特性評価法に関する一検討
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サーマルグリースのポンプアウト現象に関する研究
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スイッチング過渡時の端子間電圧を用いたIGBTの帰還容量電圧依存性の測定
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FS-IGBT誕生25年、最初の数年は混沌的－HEVインバータ応用を含め早く実用化するも、SCSOA物理の解明と裏面プロセス確立は2010年代－
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表面n+拡散層設計の最適化によるFS-IGBTの短絡耐量向上
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浅い終端構造を用いた6.5kV級フルスケーリングIGBTの動作実証
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切り出し3端子モデルを用いたField Limiting Ring終端構造の動作原理検討
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ダイバータストリップのチップ欠損とレセプタの大きさが風車雷保護効果に与える影響
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ＰａｔｃｈＣｏｒｅを用いた風車ブレード異常検知手法に関する研究
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容量性分布結合型風車雷電流観測装置の開発に関する基礎検討
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日本の風力発電所における風車ブレードの雷害被害に関する調査
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