コレクション: 研究会(論文単位):【D】産業応用部門
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パワーエレクトロニクス機器の大規模解析に向けた高速・高精度デバイスモデルの検討
通常価格 ¥330 JPY通常価格単価 / あたり -
トポロジー最適化を用いたパワーデバイスの新設計手法
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低注入アノード、高キャリアライフタイムをもつ1200V SC(Schottky Controlled Injection)ダイオードの開発
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出力抵抗可変ゲートドライバを用いた、並列接続IGBTにおける電流バランス制御
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UIS状態における高耐量トレンチIGBTの検討
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トレンチ埋め込みエピ方式のSuper Junction MOSFETの結晶欠陥低減と特性改善
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30-40V 超低オン抵抗スーパージャンクションUMOSFETにおけるリバースリカバリ特性の改善
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1200V級HVIC搭載 基板リーク改善高耐圧P-channel MOS
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縦型トレンチMOSFETを搭載した60Vクラス車載用パワーIC技術
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大面積SiC-MOSFETのスイッチング動作におけるチップ内アンバランスの解析
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高耐圧IGBT向け低ノイズ駆動ゲートドライバの開発
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4H-SiCのn型MOSキャパシタの空乏モードTDDB
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回路シミュレータを用いた誤点弧メカニズムの一検討
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電圧センスによる1チップPOLの制御方法の検討
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一般化されたマルチレベル方式を用いたマルチレベルトポロジーに発生する損失の一般化に関する一考察
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S相接地系統用ソーラーパワーコンディショナの動作特性
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リアルタイムモニタリング機能を持ったゲート駆動システムの構築
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マイクロフィルムセンサを用いた電流集中現象の画像化
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IGBTの帰還容量特性に基づく短絡保護回路
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SOIパワーMOSFETの高温動作特性
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クォターニオンによるマトリクスコンバータの解析
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高圧電力変換回路を対象とした高速スイッチング試験装置の検討
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デバイスのリンギング周波数と伝導ノイズに関する一考察
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瞬断時間を短縮できる小容量キャパシタを用いた常時商用単相UPS
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ゲートドライブ補助回路によるMOSFETの高効率高速スイッチング法
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プリント基板上のDCバス構造による寄生インダクタンスの差異の考察
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双方向AC/DCコンバータの出力電圧リプル抑制PWM制御法を用いた充放電動作
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GaN-FETを用いたPWMインバータのEMCフィルタに関する実験検証
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SiC-MOSFET/SBDモジュールを用いた750 V, 100 kW, 20 kHz双方向絶縁形DC/DCコンバータ
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SiCパワーデバイスの高速・高周波スイッチングにむけた電力変換回路の課題
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金属-半導体接触理論の疑問と新たな考察
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大電流・高周波での平面型インダクタ損失評価・解析
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車載向けTO252パッケージ(DPAK+)開発
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高信頼接合技術の車載用直接水冷パワーモジュールへの適用
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MOSFETモードIGBTにおける負荷短絡時の電流集中
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1200V系IGBTの高速化に向けたキャリア制御法の検討
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