コレクション: 研究会(論文単位):【D】産業応用部門
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キャリア注入制御技術の開発によるPNM-IGBTの高速スイッチング化
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微小電界センサによる無バイアスでのIGBT欠陥観察
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レーザテラヘルツエミッション顕微鏡法を用いた不純物欠陥の観察
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IGBTの負荷短絡動作におけるターンオフ時の電流集中メカニズムの解析
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pinダイオードにおけるライフタイムとキャリア注入効率が順方向降下電圧と逆回復電荷の関係に及ぼす影響
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1200V SC(Schottky Controlled Injection)-Diodeにおけるアノードおよびカソード注入効率の検証
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トレンチフィールドプレートMOSFETにおけるShoot-Throughメカニズムとその抑制
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高チャネル移動度を有するダブルゲートMOSFET設計
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半導体におけるトンネル現象の再検討
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分極接合プラットフォームを用いた窒化ガリウムN/Pトランジスタのワンチップ集積化技術
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SiC SBD起因損失を構成するデバイス特性の解析
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MOSFET損失を構成するデバイス特性の解析
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SOI超高速横型シリコンダイオード
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IGBTモジュール高信頼化に向けたチップ間電流不均衡計測技術の開発
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60GHz無線モジュールを用いたワイヤレス・ゲートドライブ回路
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空間ベクトルPWMを用いた3レベルV結線インバータの中性点電位変動の低減手法
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パワーモジュールの配線構造を考慮した等価回路モデル化とMOSFETにおけるドレイン電流とゲート電圧の過渡応答に関する一検討
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500 kHz スイッチングPWMインバータのゲート駆動回路に関する検討
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ダイオードの動作温度が昇圧コンバータの伝導ノイズに与える影響に関する実験的検討
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ワイドバンドギャップ半導体を用いた誤点弧メカニズムの解析
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電力パケット伝送システムのステッピングモータ駆動系への適用
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GaN HEMTを用いたSiC MOSFET高速ゲートドライブ回路の一検討
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トレンチゲート構造を有する65V双方向高圧PMOS(WDMOS)
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SOIプロセスを用いた600VシングルチップインバータICの開発
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分割ハイサイドウェル構造を用いた1200VクラスHVIC技術
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200VラテラルIGBTの性能改善
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All-SiCモジュール技術と太陽光発電用パワーコンディショナへの適用
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1.7kV 360A 低インダクタンスSiCパワーモジュールの開発
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SiC表面平坦化によるショットキーバリアダイオードのI-V特性の改善
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16kV級超高耐圧SiC nチャネル型IE-IGBTの開発
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短絡耐量改善4H-SiCトレンチMOSFET
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広い温度範囲で動作するワンチップGaNパワー集積回路技術
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電流コラプスフリーを実現する新ドレインホール注入型GaN-GITの開発
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SiC-BGSITカスコード接続
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オン抵抗とゲート電荷量を改善したSiCトレンチ型DMOS(TED MOS)の開発
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HVIGBTモジュールの耐湿性能検証
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