コレクション: 研究会(論文単位):【D】産業応用部門
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超音波診断装置高電圧パルス送信IC向けLDMOSFET技術
通常価格 ¥330 JPY通常価格単価 / あたり -
高負電圧サージ耐量を実現する新しいHVIC構造
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低ミラー容量を実現するシールドトレンチ構造IGBT
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新しいゲート構造を有する低損失・低ノイズ サイドゲートHiGTの開発
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FWD構造・配置を最適化した第2世代600V級RC-IGBTの開発
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IGBTのアクティブトレンチ配置とdv/dtサージ・ターンオン損失の関係についての検討
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平行デュアルレーザビーム法によるシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術
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1200V系RC-IGBTの高速動作化へ向けたトレンチダイオード構造の検討
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磁気浮上遠心血液ポンプの開発
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高信頼性・低特性オン抵抗100VデュアルRESURF LDMOSトランジスタ
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Hブリッジ型DC-DCコンバータを用いたプログラマブル電源
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窒化ガリウム(GaN)FETを使用したワイヤレス給電用 E級送信機
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SiC-MOSFET直列接続時におけるターンオフ時の電圧分担アンバランスとその改善法
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マトリックスコンバータを適用した双方向絶縁形AC/DCコンバータの入力電流波形改善
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ディジタルゲート駆動ICを用いたIGBTのスイッチング時における損失とオーバーシュートの自動最適化
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ゲートドライブ回路モデルを考慮したSiC-MOSFET過渡特性のシミュレーション検討
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GaN-HFET適用非接触給電ZVSコンバータのアクティブ整流回路におけるサージ電圧抑制法とその実機検証
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多層セラミック基板を用いた低インダクタンスモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -スナバコンデンサのモジュール基板実装によるサージ電圧抑制効果-
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半導体における有効質量の再考察
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物理解析に基づく簡易シミュレーションによるSiパワーデバイスのSEB現象に関する考察
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3.3kVハイブリッドSiCモジュールの宇宙線耐量と破壊メカニズム
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スイッチング波形を利用したパワーMOSFETの入力容量測定とモデル化
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アース接地線の無い機器におけるコモンモードノイズ低減手法
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電解コンデンサの浮遊容量に起因するEMIノイズの解析
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GaN-HEMT用50MHzSiゲートドライバーIC
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薄層SOI Power CMOSFETsのホットキャリア効果
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デッドタイムによる問題を解消する相補型インバータの研究
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周波数逓倍を利用したMHzインバータの損失評価
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洋上風力向け高圧DC/DC変換器の主回路方式と制御法
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バレーフィルスナバを用いた三相PWMインバータのZVS/ZCS 評価
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高耐圧GaN-HEMTのアバランシェ耐量とそのメカニズム
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トレンチフィールドプレートパワーMOSFETにおける耐圧不安定性の解析と安定性向上
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L負荷回路におけるSJ-MOSFETのターンオフ波形に対するチャージバランスの影響
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高ノイズ耐量と小型化を両立する新自己遮蔽構造の600V-HVIC
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新規縦構造を用いたソフトリカバリー性と高いダイナミックな耐久性を併せ持つRFC diode
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ストリークカメラによるIGBTのアバランシェ発光解析手法の開発
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