コレクション: 研究会(論文単位):【D】産業応用部門
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内部スナバ構造によるスーパージャンクションMOSFETの低スイッチングノイズ化
通常価格 ¥330 JPY通常価格単価 / あたり -
LLC電流共振電源用600V高耐圧ICの1.0MHz高周波動作の実現
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タップインダクタ方式-低降圧比DC-DCコンバータの降圧比と電力効率の解析精度の向上に関する研究
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大容量電力変換器の高効率化に向けたスイッチング素子並列数の最適化
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非接触多重伝送を用いたゲート駆動回路のスイッチング特性
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大容量PWMインバータの小型化を可能にする新しい出力電流検出システムの開発
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両面放熱パワーモジュールの具現化を牽引したFS-IGBTとその経緯 -シリコンチップの電子的・熱的・機械的特性を活かした実装技術-
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内部劣化および熱・電気特性の同時観測による複合型故障解析装置の実証
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次世代IGBT用超高速短絡保護システムの開発
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電流積分電荷法によるパワーモジュール絶縁層の電荷蓄積の評価
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宇宙環境で用いるパワーデバイスの宇宙線故障率の算出法提案
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埋込温度感知ダイオードを用いたパワーデバイスのジャンクション温度推定に関する一検討
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SiCパワーデバイスを対象とした繰り返しUIS試験による特性評価
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1200V SiCスーパージャンクションMOSFETの特性予測
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All-SiCモジュールの高耐圧化と低インダクタンス化
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超低損失酸化ガリウムトレンチMOS型ショットキーダイオード
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5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTの動作実証
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1200VダイオードのLCR回路モデルを用いたリカバリ振動現象解析 -カソード構造の改良について-
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IGBTのEon-VCEsat-SCSOAとEMIノイズとのトレードオフ分析
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β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードを用いたPFC回路のスイッチング特性
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GaNによるワンチップ・マルチレベル電力変換器における損失解析モデル
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3次元power Supply On Chip実現のためのプロセス技術の開発
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1200V Schottky-Diode内蔵・SiC・SJ・トレンチMOSFETの特性予測
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トレンチフィールドプレートを有する1200V SiCデバイス向け極短エッジ構造の開発
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1.2kV SBD内蔵トレンチMOSFETの順方向通電劣化評価
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パワー半導体の予知保全を実現する特性モニタリング技術
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パワー半導体の高耐量化に向けた超高速チップ表面温度分布イメージングシステムの開発
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デバイスプロセスの高温熱負荷工程におけるSi基板中の転位挙動に関する数値計算
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間接遷移型半導体と直接遷移型半導体に関する一考察 -半導体遷移型の新しい解釈-
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高周波スイッチングに伴う空芯トランスの内部磁束密度の振動
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高周波PCBパターンの寄生成分解析とスナバ設計に関する一検討
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導通損失の少ない補助スイッチを用いたソフトスイッチング昇圧型DC-DCコンバータ
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パワーモジュールの過渡熱回路モデル同定手法に関する基礎検討
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ゲート遅延時間制御による多直列パワーデバイスの電圧バランス制御
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6.5kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデル開発
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ISOP接続方式を用いたマルチセルAC-DCコンバータの特性評価
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