コレクション: 研究会(論文単位):【D】産業応用部門
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低スイッチング損失と低ノイズを実現するホールパス構造IGBT
通常価格 ¥330 JPY通常価格単価 / あたり -
IGBTのフローティングP層の電位がターンオン時のdI/dtの制御性に与える影響について
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電流分布に基づくパワーモジュールの新しいスクリーニング法の提案
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回路の寄生成分がSJ-MOSFETのスイッチング波形に与える影響
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自己遮蔽方式HVICのESD耐量向上技術
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低スイッチング損失、広SOAかつ低特性オン抵抗の40 V LDMOSトランジスタ
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分割埋め込みゲート構造を有するNch LDMOSのHCI劣化改善
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高輝度LEDの開発経緯と動作機構の再検討 - パワーデバイス屋が考えたLEDの動作機構 -
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IGBTの損失低減及びターンオフ耐量向上の推移と、高速ターンオフによる更なる損失低減と不都合なダイナミックアバランシェ発生のトレードオフ
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狭メサIGBTにおけるPベース内部の伝導現象
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三次元スケーリングによるIGBTのVCEsat低減の実験的検証
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パルスパターン改善空間ベクトル変調法を用いたマトリックスコンバータの特性について
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燃料電池と電気二重層キャパシタを直列に接続した電源を持つPMモータ駆動システムにおける電力分担法の検証
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誘導電動機のスロット高調波を利用した回転方向判別と速度推定
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系統連系用マトリックスコンバータの系統電流ひずみ低減時におけるFRT範囲拡大手法の検討
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汎用ゲートドライバICを利用したパワーMOSFETの3レベルアクティブゲート駆動回路
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電流不連続モードを用いた入出力電位が共通なDC-ACコンバータの動作検証
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GaNデバイスを用いた電流不連続モード系統連系インバータのMHz運転における動作検証および損失の解析
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パワーSupply on Chipを用いたソフトウェア電源
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3次元パワーSoCの小型化にむけての検討
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パワーモジュール内蔵型インバータ出力電流測定システムの開発
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ダブルパルス試験によるパワーエレクトロニクス機器用ノイズ計測システムの構築
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厚銅多層基板を用いたSiC-MOSFET高周波インバータの開発
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多層基板を用いた低寄生インダクタンスSiCハーフブリッジモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -モジュール内蔵スナバコンデンサ容量の最適設計に関する実験的検討-
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SiCパワーMOSFETのMHzスイッチング向けゲートドライバの検討
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並列接続SiC-MOSFETの連続動作におけるジャンクション温度解析
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高速駆動SiC-MOSFETの並列接続に関する検討
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5000V SiC 双方向スーパージャンクションMOSFETの特性予測
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SiC-MOSFETにおける短絡耐量と特性オン抵抗のトレードオフ関係の評価
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解析モデルを用いたGaNワンチップ変換器における発熱密度の試算
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μーPCD法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討
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高耐圧デバイスの有効面積効率を改善する高アスペクト比ディープトレンチ終端(HARDT2)技術
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CSTBTTM構造を持つRC-IGBTにおける高アバランシェ破壊耐量のためのDiode構造
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1200VクラスIGBTのSCSOA改善のためのN型バッファ層の最適化
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フローティングP層を電気的に分離することでターンオンdIc/dt制御性が向上したIGBTの表面セル構造
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SJボディダイオードのチャージバランスと逆回復特性
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