コレクション: 研究会(論文単位):【D】産業応用部門
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産業用IPMの外来サージ耐量向上を実現するHVICのノイズ誤動作防止回路技術
通常価格 ¥330 JPY通常価格単価 / あたり -
パワーMOSFETにおけるα線の影響と厚膜Cuめっきによるα線の遮蔽
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2段フィールドプレートトレンチMOSFET開発におけるプロセスインテグレーション技術
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100V定格2段フィールドプレートトレンチMOSFETの最適構造設計とデバイス性能評価
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スーパージャンクションMOSFETにおけるUIS耐量への外部ゲート抵抗の影響
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15V駆動の微細IGBTにおける電流飽和メカニズムの研究
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エッジ終端構造を有するIGBTモデルによるUIS時の電流フィラメント生成および破壊モードのTCAD解析
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1200VダブルゲートIGBTのターンオフ特性におけるdV/dt依存性の解析
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オン時帰還容量低減と部分ライフタイム制御を適用した1200V級RC-IGBT
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スプリットゲート構造を用いた低損失・低ノイズなCSTBTベースのRC-IGBT
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1200VダイオードのLCR回路モデルを用いたリカバリ振動解析
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Deep-N層によるIGBTの宇宙線耐量改善
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航空機用パワー半導体の宇宙線故障率解析
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13kV UHV-IGBTの理論検討
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安定動作するダイレクト駆動GaNカスコードデバイス
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SiCパワーデバイスを使ったハイブリッド電化航空機給電システムの検討
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パワーサイクル試験の高精度化に向けた研究
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赤外線カメラを使用したパワー半導体の歪みと温度の同時モニタリング
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パワーデバイス電流集中測定技術
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パワーデバイスを対象とした電力回生型連続スイッチング試験装置
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薄層SOIパワーnMOSFETとpMOSFETのホットキャリア効果の比較
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ホットキャリア注入によるPchLDMOSの耐圧変動メカニズムに関する研究
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アナログIC向けLDMOSの負入力耐性とESD耐性を両立させるセルレイアウトの開発
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650V定格FP-MOSFET実現に向けた理論検討
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60-150 V系フィールドプレートパワーMOSFETの損失低減に向けた設計指針
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デジタルゲートドライブ方式を用いたIGBTのスイッチング特性最適化技術の研究
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EMI自動修復デジタルゲートドライバの提案と実証
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H2L動作および広範囲電圧利得を有するLLC回路の検討
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Hall効果機構の再考察と量子Hall効果の新しい解釈
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三相交流電圧復元法を適用した電圧形インバータ・電流形インバータ並列システム
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DCブレーカ応用のための並列SiC-MOSFET耐圧ばらつき許容範囲の検討
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パラメータ推定を用いたSiC-MOSFETのNear Interface Trap密度分布の評価
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日本地下鉄協会におけるドライバレス自動運転技術の技術検討
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列車前方画像を用いたまくらぎ識別手法
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深層学習による列車前方画像からのレール消失点抽出手法の検討
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3D距離画像センサを用いた交通流計測 ―複数車線の検知性能の検討―
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